化学气相沉积法（CVD）是目前碳化硅外延片制备的主流方法之一，由于其具有能够精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、生长速度适中、过程可自动控制等优点，可以更好地满足碳化硅外延片高质量、高效率的制备需求。因此，制定针对化学气相沉积法相关技术规范，对于推动碳化硅外延片行业发展具有重要意义。
近日，由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会（以下简称“国促会标委会”）联合通标中研标准化技术研究院共同组织的《碳化硅外延片制备技术规范化学气相沉积法（CVD）》团体标准启动会顺利召开。
会议由国促会标委会标准部张桢主持，标准起草组副组长、标准部副主任倪艺瑾，标准部田歆出席会议。广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深圳市纳设智能装备股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、杭州海乾半导体有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、中国科学院半导体研究所、通标中研标准化技术研究院等单位代表及相关行业专家参加本次启动会。
会上，田歆就国促会成立以来的发展情况以及工作内容进行详细介绍，张桢对《碳化硅外延片制备技术规范化学气相沉积法（CVD）》团体标准的立项背景、编制情况、编制原则与框架、标准工作计划进行汇报说明，得到了参会代表的一致认可。
在标准讨论环节，行业专家和参编单位代表围绕《碳化硅外延片制备技术规范化学气相沉积法（CVD）》团体标准的范围、规范性引用文件、术语和定义、缩略语、基本要求、制备流程等内容进行积极研讨，重点对碳化硅外延片制备过程中化学气相沉积法的关键技术参数、工艺控制、设备要求以及检测标准等方面展开深入分析，旨在制定统一的技术规范，推动碳化硅外延片产业健康发展。
会议最后，倪艺瑾副主任对本次会议进行总结发言。她表示，近年来，我国发布《关于化纤工业高质量发展的指导意见》《制造业可靠性提升实施意见》等相关政策，推动碳化硅等化合物半导体材料研发及产业化发展，鼓励业内企业提升相关技术水平。国促会标委会携手业内专家学者、先进企业制定该标准，旨在规范碳化硅外延片的制备过程，确保通过化学气相沉积法生长的外延层质量更高，能够满足特定性能要求，从而提升碳化硅器件的整体性能和可靠性。
化学气相沉积法（CVD）作为目前商业化程度较高的碳化硅外延技术，是未来碳化硅产业发展的关键方向。通过制定统一的技术规范，可为行业发展提供清晰、明确的标准参考，引导企业规范生产，提升碳化硅外延片的质量和性能，推动我国碳化硅半导体产业迈向发展新高度。